该设备用于氮化镓（GAN）芯片生产工艺过程中的真空退火、合金、氧化、扩散等工艺。该系统具有温度控制系统和真空压力控制系统。
主要参数：
工作温度范围： 600-1280 度。
使用温度：1200 度。
每炉可处理 25 片。标准晶圆舟 25 片。
炉管有效口径：满足 6 寸片，可向下兼容 4、2 寸。
升温功率：18KVA/每管 。
电源：三相五线制： 380V 三相五线。
具有断偶、超温报警以及二次保护功能。