KRI 霍尔离子源 eH 3000
上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 3000 适合大型真空系统, 与友厂大功率离子源对比, eH 3000 是目前市场上, 提供更高离子束流的离子源.
尺寸: 直径= 9.7“ 高= 6”
放电电压 / 电流: 50-300V / 20A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
KRI 霍尔离子源 eH 3000 特性
• 水冷 - 加速冷却
• 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时,大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
• 宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
• 多用途 - 适用于 Load lock / 真空系统; 安装方便
• 等离子转换和稳定的功率控制
KRI 霍尔离子源 eH 3000 技术参数
型号
eH3000 / eH3000L / eH3000M / eH3000LE
供电
DC magnetic confinement
- 电压
50-250V VDC
- 离子源直径
~ 7 cm
- 阳极结构
模块化
电源控制
eHx-25020A
配置
-
- 阴极中和器
Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 离子束发散角度
> 45° (hwhm)
- 阳极
标准或 Grooved
- 水冷
前板水冷
- 底座
移动或快接法兰
- 高度
4.0'
- 直径
5.7'
- 加工材料
金属
电介质
半导体
- 工艺气体
Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安装距离
16-45”
- 自动控制
控制4种气体
* 可选: 可调角度的支架;
KRI 霍尔离子源 eH 3000 应用领域
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜 ( 光学镀膜 ) IBAD
表面改性, 激活 SM
直接沉积 DD
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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