美国 KRi 霍尔离子源 eH 400
上海伯东代理美国原装进口 KRi 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流 > 750 mA, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
KRi 霍尔离子源 eH 400 特性
高离子束电流满足沉积率的临界到达比
低离子能量通过避免高能离子对表面和界面的轰击损伤而使产量更大化
宽束, 发散离子束通过均匀地覆盖沉积区从而增加每次加工零件数量来提高吞吐量
坚固的模块化结构降低了备件耗材和维护时间, 减少维护成本和停机时间
无栅网, 紧凑设计, 方便加装, 提供离子辅助功能
KRi 霍尔离子源 eH 400 技术参数:
型号
eH 400
阳极
DC
阳极电流(大)
5A
离子束流(大)
>750mA
阳极电压范围
40-300V
离子能量范围
25-300eV
阳极功率(大)
500W (辐射冷却)
气体
惰性气体和反应气体
气体流量
3-30 sccm
压力
< 1 x 10-3 Torr
离子束流直径
4cm Φ
离子束发散角度
> 45° (hwhm)
阴极中和器
沉浸式或非沉浸式
高度
3.0” (7.62cm)
直径
3.7” (9.4cm)
KRi 霍尔离子源 eH 400 应用领域:
电子束蒸发, 磁控溅射中的 IBAD 辅助镀膜
沉积前的预清洁
类金刚石碳涂层
低能离子束蚀刻
离子束溅射
KRi 霍尔离子源辅助镀膜 IBAD 典型案例:
设备: 美国进口 e-beam 电子束蒸发系统
离子源型号: EH 400
应用: IBAD 辅助镀膜, 通过向生长的薄膜中添加能量来增强分子动力学, 以增加表面和原子 / 分子的流动性, 从而导致薄膜的致密化或通过向生长薄膜中添加活性离子来增强薄膜化合物的化学转化, 从而得到化学计量完整材料.
离子源对工艺过程的优化: 无需加热衬底, 对温度敏感材料进行低温处理, 简化反应沉积.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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