MVME162-026A

所在地: 福建省 厦门市
发布时间: 2024-11-11
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MVME162-026A

MVME162-026A 

由于低导通电阻与广域电流/电压能力,并得益于各种成套选项,包括经业内认可且测量精度可达1.53 mm x 0.77 mm的LGA装置,你可轻松借助TI的MOSFET强化你的设计,而无需在性能上妥协。例如,100V NexFET™CSD19537Q3采用3.3-mm x 3.3-mm SON封装的N通道功率MOSFET可以控制建筑物内HVAC系统的交流负荷。

控制直流负荷

功率BJT或MOSFET通常控制直流负荷。功率BJT为单向且完全可控装置,功率MOSFET则为双向性但仅在一个方向可控,如前文I中所述。由于直流电流为单极性,仅需要一个BJT或MOSFET,如图4所示。这两个装置均需要一个恒定的控制信号以保持在接通状态。SCR与TRIAC不适合此类应用,因为直流负荷的电流不会变为零并使这两种装置自然断开。直流负荷的一个示例是家用电器或工业系统内的直流电机。

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