镍钛外周血管直接真空退火炉

所在地: 上海市
发布时间: 2020-09-22
详细信息

该设备主要用于半导体芯片、集成电路芯片、探测器芯片、激光器芯片、金属溅射薄膜压敏芯片、红外成像芯片、非制冷红外热成像芯片、气体传感器芯片、半导体电容式指纹辨识芯片、功率半导体器件、硅基辐射探测器的高真空低温封装工艺。

设备型号:TF300-100-HV-T10

额度温度:300℃

工作温度:RT-250℃

温控精度:±1℃

加热元件:红外卤素灯管(环形加热)

加热尺寸:100mm*400mm(Φ*L)

有效空间:90mm*250mm(Φ*L)

测温元件:K型,共2只,1控温,1监测

升温速率:≤10℃/Min

加热功率:4.8Kw

真空配置:分子泵+无油干泵(洁净度高)

极限真空:3.0*10-4Pa(空炉、经净化、室温、充分脱气)

工作真空:6.67*10-2Pa至6.67*10-3Pa

控制显示:10英寸液晶触摸屏



联系方式
返回展厅